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应用材料宣布推出全新光罩蚀刻系统

发布时间:2015-5-11 10:13:09   编辑:hxr  来源:触控技术网|全球触摸屏产业领航者
提要:全球最大设备厂应用材料宣布推出Applied Centura Tetra Z光罩蚀刻系统,为业界所需的新一代光微影术光罩蚀刻技术,继续精进多重曝影尺寸缩放至10纳米以下。
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全球最大设备厂应用材料宣布推出Applied Centura Tetra Z光罩蚀刻系统,为业界所需的新一代光微影术光罩蚀刻技术,继续精进多重曝影尺寸缩放至10纳米以下。

应用材料表示,Centura Tetra Z系统所提供的光罩蚀刻技术,首创能够进行10纳米以下四重曝影的解决方案,独步业界;世界级的光罩蚀刻效能与缺陷控制技术,符合逻辑与存储器装置的先进图案制程技术要求。

台积电虽然有意在10纳米及7纳米的部份光罩层导入极紫外光(EUV)新技术,但是10纳米及7纳米的主要微影技术仍会以浸润式(immersion)多重曝影技术为主。所以,应用材料此次推出新一代光罩蚀刻系统,可支援10纳米以下,正好符合台积电及英特尔等国际大厂需求。

应用材料表示,Centura Tetra Z系统透过新机台而再次扩充功能,提供所需的线宽(CD)参数“埃(angstrom)”等级光罩精密度,满足未来逻辑与存储器装置严苛的图案制程规格。应用材料光罩蚀刻产品处总经理瑞欧.耶拉曼奇里(Rao Yalamanchili)表示,蚀刻技术是制造光罩的关键,使用193纳米波长来制作10纳米或7纳米的图案,需要各种最佳化技术,包括浸润与多重曝影,高度仰赖光罩的运用。

Centura Tetra Z系统是最先进的光罩蚀刻技术,运用精密材料工程及电浆反应动力学的精进科技,扩充了193纳米(193nm)微影技术的应用,能为新一代光学光罩蚀刻提供所需的精确度,制作先进节点设计的图案。

应用材料针对进阶的铬、硅化钼(MoSI)、硬质光阻层和石英(熔硅石)蚀刻应用,开发了Tetra Z工具,以制造先进的二元式与相位移光罩(phase-shift masks),优越的系统展现了持续的技术创新与前所未见的线宽效能,将浸润式微影术延伸应用于四重曝影与先进的分辨率强化技术,用以确保图形转移保真度的重要功能,包括了针对所有特征尺寸进行均匀的线性精密蚀刻,以及近乎零缺陷的图案密度。



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